[이엔에프테크놀로지] 반도체에서 끌어주고, 디스플레이에서 밀어주고

요약

• 반도체 생산공정 수 증가에 따른 반도체 재료 수요 증가
• 매출처 다변화에 따른 매출증가
• 중국 자회사의 중국 LGD, CSOT 향 매출 본격화
• 동종 업계 대비 매력적인 밸류에이션
• 모회사인 한국알콜을 통한 안정적인 원료공급

이엔에프테크놀로지(102710)

:반도체& LCD 프로세스케미칼를 제조 및 판매하는 기업

1.주식현황 및 주식 차트

2. 사업현황

<15.1Q 보고서 中>

이엔에프테크놀로지는 반도체 및 TFT LCD 소재인 프로세스 케미칼, 반도체 포토레지스트용 핵심원료 및 TFT LCD의 칼라필터용 칼라페티스트 등의 반도체/LCD 전자재료 사업부문과 이차전지 양극활물질의 재료인 전구체를 생산하는 이차전지 사업부문으로 이루어져 있다. 현재 당사는 매출의 대부분은 LCD/반도체의 전자재료 사업부분에서 대부분 발생하고 있으며, 올해 초 LG상사와 J/V 형태로 투자된 알바텍(지분율 66% 자회사)이 올해부터 양극활물질용전구체를 양산할 예정으로 이차전지 재료 사업부의 매출도 매출 점유율이 증가할 것으로 예상된다.

3. 투자포인트

1. 반도체 생산공정 수 증가에 따른 반도체 재료 수요 증가
2. 매출처 다변화에 따른 매출증가
3. 중국 자회사의 중국 LGD, CSOT 향 매출 본격화
4. 동종 업계 대비 매력적인 밸류에이션
5. 모회사인 한국알콜을 통한 안정적인 원료공급

4 투자포인트 점검 ①②

<D램>

4.1현재 D램 반도체 미세화 생산공정 현황

삼성전자는 2011년 후반부터 20나노 후반을 생산하기 시작하여 13년 후반기에는 20나노 중반을 15년 부터는 20나노 초반대의 디램을 생산하고 있다. 그리고 SK하이닉스의 경우에는 12년 후반기부터 20나노 후반대의 디램을 생산하기 시작했으며, 14년 중반부터 20나노 중반, 그리고 15년 4분기부터는 20나노 초반을 생산할 계획을 가지고 있다.

4.2 D램에서의 미세공정의 중요성

① 수익성 향상

-> 하나의 웨이퍼에서 기존의 공정이 40개의 양품을 생산해 낼 수 있다고 하면, 미세화 된 새로운 공정에서는 같은 제품이 50개 가량의 양품이 나올 수 있어, 고정비효과가 발생하여 수익성이 개선되는 효과를 나타낼 수 있다. 따라서 대량 생산과 대량 판매가 전제된 산업인 반도체산업에서 큰 비용을 들여서 공정을 전환하더라도, 제품당 단가가 더 내려갈 수 있다면 이는 장기적으로 수익성개선에 큰 도움이 될 수 있다.

• 미세화 될수록 전체 반도체 생산 비용 중 고정비 성격이 강해져 생산이 증가 할수록 고정비 효과를 누려 수익성이 증가하게 된다.

② 성능 향상

-> 미세화로 성능이 증가하는 이유는 미세화로 인해 한정된 공간에 더 많은 기능을 너을 수 있기 때문이다. 즉, 부품이 미세화 될수록 더 많은 걸 집적할 수 있는 이유이다. 더 많은 기능들을 집적하다 보니 성능 향상이 오는 것이다. 또한 전력소모 감소가 발생한다. 그 이유는 트랜지스터의 문제인데 미세화로 인해 트랜지스터도 작아지게 되는데 트렌지스터의 소형화는 전자의 이동이 편해져 전압이 낮아지게 된다. 즉, 낮은 전압으로도 전자를 이동시키게 되는 것이다.

• 공정 미세화로 동작 속도가 증가하고, 전력이 소모하여 성능이 증가한다.

4.3 D램 미세화 공정의 한계

현재 D램의 미세화 공정은 20나노 초반까지는 가능했지만, 20나노 미만 부터는 기술적 한계에 부딪히고 있다. 이는 D램이라는 메모리의 특성으로 D램 특화 공정의 난이도가 대폭 상승했기 때문이다. (즉, 현재 20나노 미만의 미세화 될수록 공정의 난이도가 높아져 생산 수율이 나오지 못하는 단점을 가지고 있다.)

현재 상황에서 20나노 이하의 미세공정을 위해서는 현재 보다 더 좋은 노광장비가개발되어야하는데 (노광(Photo)공정은 빛을 이용하는데, 현재 주력인 ArF 광원(193nm)으로는 20나노대 패터닝이 어려움) 현재 그러한 장비가 없는 상황이다. 현재 EUV(필요한 노광장비-극 자외선을 이용한 노광기술)는 미국 반도체 컨소시엄임 SEMATECH과 유럽 반도체 컨소시엄인 IMEC에서 공동개발 중이다. 하지만 EUV장비의 대량생산은 빨라도 2018년 하반기에나 가능할 전망이다.

4.4 D램 미세화 공정의 해결방안

현재 미세화공정을 위해 노광장비는 EUV장비가 필요하지만 오랜시간이 걸리는 것으로 판단되고 있다. 따라서 현재 반도체 생산업체는 EUV장비 없이 미세화공정을 할 수 있는 기술을 발견했다. 바로 DPT, QPT 방식이다. DPT, QPT 방식은 노광 공정의 한계를 증착, 식각 공정을 추가 진행하여 보완하는 것이다. 즉, 기존의 반도체 공정에서 증착과식각 공정을 약 1번 더, 또는 2번 더 진행하여 기존의 노광 공정의 한계를 보완하는 것이다.

DPT - Double Patterning Technology

QPT - Quadruple Patterning Technology

현재 20나노 초반 공정에는 SaDPT(=DPT)이 이용되는데, 20나노 이하부터는 QPT공정이 진행될 예정이다. QPT공정은 기존 SaDPT공정대비 1) 하드마스크 증착과 2) Etch Back 3) 하드마스크 식각 공정이 1회씩 추가된다.

• 공정미세화 한계 해결방안으로 QPT공정진행에 따른 공정 수 증가

DPT공정은 30나노급에서는 2번사용

20나노 후반 ->4번

20나노 중반 -> 5번

2나노 초반 -> 7번사용

<NAND>

4.1 현재 NAND 반도체 미세화 생산공정 현황

 삼성전자는 2014년부터 24단 3D V NAND 양산을 시작했으며, 14년 중반에는 32단 MLC 그리고 15년 3분기부터는 48단 TLC를 생산할 계획이다. SK하이닉스의 경우에는 현재 3D낸드를 생산하고 있지 않고 Planar NAND만을 생산하고 있지만, 15년 말부터 48단 3D낸드를 생산 계획 중이다.

4.2 NAND에서의 미세공정의 중요성

반도체에서의 미세공정은 수익성 향상과 성능향상이라는 장점이 있다. NAND메모리 또한 D램 메모리와 같은 이유로 미세공정을 통해 수익성 향상과 성능향상을 이룰 수 있다.

4.3 NAND 미세화 공정의 한계

2D NAND는 현재 예년의 공정 개발 속도를 회복할 수 없다. 2D NAND의 미세화의 공정의 경우는 D램과 달리 10나노 까지 개발되었지만 기술적으로 한계에 부딪혀 이러한 2D NAND 공정 문제점들이 임계치에 가까워져 있는 상황에서 근본적으로 이를 해결할 방법이 나오지 않고 있다.  (현재 NAND의 경우 2D는 10나노 초반까지 미세화가 진행되었지만, 앞으로의 미세화 진행은 기술적으로 한계치에 도달하였다고 볼 수 있다.)

4.4 NAND 미세화 공정의 해결방안

현재 2D NAND의 미세화의 한계로 채택한 방법은 바로 NAND를 3D로 만드는 V-NAND이다. 3D 낸드는 기본적으로 2D NAND 공정의 문제점을 극복할 수 있으며, 점차 회로의 미세화말고 입체적으로 쌓음으로써 공정 미세화 속도가 점차 빨라진다. (현재 삼성전자의 13년 하반기에서 올해 하반기까지 2D NAND와 3D NAND의 공정 개발 속도를 보면 2D는 19나노TLC에서 16나노 TLC로의 한 단계 진화만 있는 반면, 3D NAND는 24단 MLC에서 32단 MLC, 32단 TLC로의 두단계 진화와 더불어 15년 3분기 48단 TLC 생산도 앞두고 있다.) 즉, NAND는 미세화의 한계로 인해 2D에서 3D로 점차 변할 것이다. 3D NAND의 경우 2D NAND에 비해 단수 증가를 통한 미세화 공정이기 때문에 노광 공정 의존도가 낮아지고, 증착과식각공정이 반복 진행될 것이다.

• 2D NAND 에서 3D NAND로의 변화로 식각 및 증착 공정 수가 증가한다.

2D NAND -> 3D NAND 증착 50~60%, 식각 30~40% 스텝 수 증가

4.5 미세화 공정으로 인한 수혜

현재 이엔에프테크놀로지는 반도체 공정에 들어가는 재료인 식각액과박리액, 세정제 등을 제조하고 있다. 현재 메모리반도체 생산에서 미세화 공정이 이슈화되면서 식각 및 증착 공정 증가로 인해 그러한 공정에 들어가는 재료의 수요가 증가하고 있고, 앞으로도 증가할 것으로 보인다. 당사는 그러한 공정 증가로 인한 식각액과 세정제 등 반도체 재료 부분의 수혜가 예상된다.

<14~15년 매출 비중/ 억원 (사업보고서 참고)>

위의 표는 14년부터 15년 1분기 매출 비중을 나열한 표이다. 식각액 부분을 보면 작년 97억 정도 매출이 꾸준히 증가해 올해 1분기 211억으로 2배 넘게 증가하였고, 세정제 부분은 14년 1분기 24억 정도에서 꾸준히 증가해 15년 1분기 72억으로 3배정도 증가하였다. 이엔에프테크놀로지는14년부터 반도체 시장에 본격적으로 진출하였다. 14년 1st Tier 업체인 삼성전자와 SK하이닉스가 소재 공급사 다변화 정책을 시행함에 따라 신규 공급을 본격화하였고, 14년부터 SK하이닉스 내에서 점유율이 가파르게 상승하여 현재 50% 수준까지 도달하였고, 삼성전자 쪽은 경쟁사가 독점하고 있던 반도체용 식각액 시장에 성공적으로 진출하여(15년 1분기) 앞으로 미세화 공정으로 인한 수혜 + 점유율 상승으로 인한 반도체 재료사업부분에서 두드러지는 성장이 기대된다.

반도체·디스플레이 특수가스 공급부족 `초비상`…가격 폭등으로 원가 부담 가중

반도체·디스플레이 제조공정에 필수로 활용되는 특수가스 소재 확보에 비상이 걸렸다. 반도체 공정 미세화에 따른 멀티패터닝 작업 증가와 공장 가동률 확대 등으로 관련 특수가스 소재 수요가 급증하고 있지만 공급 부족 탓으로 가격이 적게는 두 배, 많게는 여섯 배 치솟았다.

(이하 생략)

15. 6. 29 <전자신문> http://www.etnews.com/20150703000253

현재 삼성전자는 20나노 디램의 비중이 2분기 20% 수준까지 확대되었고, 기존의 32단 3D NAND를 48단으로 전환하고자 하고 있다. SK하이닉스 또한 25나노 D램의 양산 비중을 60%로 조정하였다. 현재 이러한 전방업체들의 미세화의 수주로 인해 식각과 증착 소재의 수요가 폭발적으로 나타났고, 앞으로도 더욱더 많은 수요를 창출할 것으로 보인다.

5 투자포인트 점검 ③

5.1 ENF China Holdings

현재 이엔에프테크놀로지는 주요 연결종속회사로 ENF China, 엘바텍을 가지고 있다.

ENF China(지분율90%)는 현재 디스플레이 소재(LCD 공정용 웨트케미컬) 를 제조하고 있다.

작년 1분기 매출 35억에 -2.8억을 기록하였지만, 올해 1Q 작년 분기 대비 배가 넘는 성장을 하였다. 그 이유를 주담과의 통화를 통해 알아보니 중국 내에서 기존의 BOE와 티안마 쪽에만 디스플레이 소재를 납품하고 있었지만 올해 부터 중국 내 LGD, CSOT의 매출이 본격화 되었다고 한다. 그리고 중국 매출처인 BOE와 CSOT등의 디스플레이업체가 공격적인 증설을 계획하고 있어, 향후 긍정적인 매출 증가가 예상되고, 중국 공장의 BEP가 60억 정도여서 매출이 증가하면 증가할수록 영업이익이 크게 증가할 것을 예상된다.

<전방산업 투자 계획>

5.2 엘바텍

알바텍은 12년 1월에 2차전지사업을 위해 LG상사와 합작법인으로(지분율 66%) 설립되었다. 현재까지 이차전지 핵심소재는 일본이 주도하고 있으며, 국내기업이 코스트 절감과 자체기술 개발로 핵심소재 시장의 점유율을 키우고 있는 상황이다. 현재까지는 적자를 발생하고 있으나 점차 주요고객사인 LG화학 향 공급증가로 개선될 전망이다.

6 Valuation

6.1 매출추정

작년부터 반도체 미세화와 더불어 고객사의 공급사 다변화 정책으로 경쟁사가 독점하고 있던 삼성전자 반도체 식각액 시장 진입으로 매출과 영업이익이 큰 성장을 하였다. 앞으로도 D램의 미세화는 계속될 예정이고, NAND 또한 3D로의 전환 & 적층수 증가로 식각액에 대한 수요가 폭발적으로 증가할 것으로 예상된다.

현재 재무재표상의 매출 비중을 보면 식각액 부분과 세정제의 매출 증가가 상당한 것을 볼 수 있다. 앞으로 늘어나는 수요를 예상할 수는 없기 때문에 (앞으로 증가하는 것은 당연하다) 올해 실적을 1분기 * 4 로 계산하면

매츨액= 2888억

영업이익 = 280억

당기순이익 = 240억

이 나온다. 현재 시가총액이 2414억 임으로 현재 PER는 약 10정도 되는 것으로 예상된다.

6.2 동종업계 밸류에이션 비교

현재 반도체/디스플레이 재료를 만드는 업체들의 밸류에이션이다. (증권사 리포트 참고) 대부분 소재 업체의 15년 PER가 15~20를 차지하고 있다. 현재 이엔에프테크놀로지의 매출추정에서 예측한 PER는 10이하(1Q *4 로 추정)이다. 이는 모든 소재업체의 밸류에이션보다 낮다. 다른 증권사 보고서를 참고한 PER는 9.3 밖에 안된다. 충분히 밸류에이션도 저평가가 맞다고 생각한다.

7 결론

현재 반도체시장에서의 큰 트렌드는 바로 미세화이다. D램에서는 현재 20나노 초반까지 기술이 개발되었고, 앞으로는 10나노 대 개발이 진행될 것으로 예상된다.

다음으로 NAND는 2D에서의 미세화 공정의 한계로 인해 3D 낸드로 전환하고 있다. 이러한 미세화 공정으로 인한 수혜로 바로 반도체 소재주의 수요가 증가하고 있다. 기존의 공정보다 미세화로인해 여러 공정들이 추가되어 그러한 공정에 들어가는 소재들의 수요가 증가하고 있는 것이다. 미세화공정 뿐만 아니라 전체적인 메모리반도체 물량 증가 또한 반도체 소재 수요 증가에 큰 몫을 하고 있다. 또한 반도체와 디스플레이 업체들의 공격적인 CAPA 증설로 인한 이슈도 앞으로의 소재 수요 증가에 긍정적인 요인이 될 것으로 추측된다.

그러한 시대적인 트렌드인 반도체/디스플레이 소재 관련 기업들은 앞으로 높은 실적 성장이 기대가 되는데, 그 중에서 지금까지 가장 저평가라고 생각되는 이엔에프테크놀로지의 주가 상승여력은 높아보인다. 현재 동종 업계의 평균 PER에도 한참 미치지 못하고 있는 실정이며, 앞으로 미세화에 대한 수혜와 그리고 고객사의 공급사 다변화 정책으로 인한 점유율 상승으로 인한 반도체 물량에 직접적인 수혜를 입을 것으로 예상된다.

앞으로의 성장가능성이나 현재 상황으로 보았을 때는 성장가능성으로 인한 충분한 안전마진이 있어보이고, 앞으로의 실적 증가 추이를 잘 관찰하면서 비중을 늘리는 전략을 취하는 것이 좋아보인다.

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