[디엔에프 IR] 반도체 공정 미세화에 따른 수혜 기업

요약

• 연평균 약 30억원의 R&D 비용을 지속적으로 투자하는 기업
• 견고한 기술적 경쟁력을 지닌 반도체용 정밀화학재료 전문기업
• 제품군의 다각화로 추가적인 성장이 가능한 기업

[디엔에프(092070)]

2015.07.31일 기준 시가총액 : 2600억

PER : 23.68

PBR : 6.04

1. 회사 개요

디엔에프는 반도체용 정밀화학재료 (CVD/ALD 전구체) 전문 기업이다. 2001년 1월 5일에 설립되어 2007년에 코스닥에 상장되었다. 대표이사는 김명운씨로 KAIST 화학과 석사, 박사 출신으로 화학분야에 대해 해박한 지식을 보유한 CEO라고 볼 수 있다. 뿐만 아니라 이사급의 임원들 역시 화학공학이나 공업화학, 화학과 등 관련 학과 출신으로서 화학소재 전문 기업이 될 수 있었던 이유가 여기에 있지 않나 라는 생각을 해본다.

주요주주로는 최대주주 및 특수관계인 지분이 22%, KB자산운용이 약 20% 정도의 지분을 보유하고 있다.

2. BUSINESS MODEL

 디엔에프의 주력 제품은 크게 DPT(Double Patterning Tech). High-k for Capacitor, Low-T용 SiO/SIN 재료(HCDS), SOC 외 기타로 나눌 수 있다. 각 제품별 전망을 살펴보겠다.

 2.1. DPT 재료

(출처 : 디엔에프)

  DPT재료는 36나노부터 적용되었고 2012년부터 S사에 납품을 하기 시작하였다. DPT는 미세공정 증가시 급증하는 형태를 지니고 있기 때문에 공정이 점차적으로 복잡해지는 반도체의 추세와 더불어 같이 성장하는 분야라고 볼 수 있다.

특히 고객사의 DRAM 설비 투자로 인한 납품 확대 가능성이 존재하며, 25nm, 20nm 생산 비중이 증가하여 layer 수가 더 많아지기 때문에 매출 증대가 예상된다. 실제로 2012년 42억, 2013년 100억, 2014년 213억으로 급격하게 성장하고 있는 추세이다.

 2.2. High-k for Capacitor

(출처 : 디엔에프)

 DPT와는 다르게 급격하게 성장이 일어나는 분야라고는 볼 수 없다. HIGK-K는 DRAM Capacitor 고유전막의 재료로 유전율이 높아 저장할 수 있는 전하량이 큰 물질로 DRAM의 미세화에 따라 65nm 이하부터 도입하게 된 필수소재이다. 고객사의 2차벤더로 점유율을 점차적으로 확대하고 있다.

 2.3. Low-T용 Sio/SIN 재료 (HCDS)

(출처 : 디엔에프)

 HCD는 저온공정용 절연소재이다. 이는 SiO, SiN 형성용 Low-T 공정 전구체로 DRAM뿐만 아니라 Nand Flash Memory에 모두 사용이 가능하다. 현재에는 반제품을 사와서 완제품을 생산하고 있지만 현재 디엔에프에서 자체 개발 소재를 개발하고 있다. 반도체의 단수 증가시 당연히 절연층이 많아지고 이에 따라 사용량이 급증하는 형태가 나타난다. 뿐만 아니라 3D Nand 생산 비중이 점점 확대되고 있고 DRAM 생산량의 증가로 HCDS의 사용량 증가가 예상되고 있다.

 2.4. SOC 외 기타

(출처 : 디엔에프)

- ACL (Amorphous Carbon Layer) 재료 : 사용량 점차 감소 중, 단가 인하

70nm 이하 반도체부터 미세패턴 구현을 위해 사용된 Hardmask 재료이다. 탄소함유량이 높아 Etch 선택비가 좋으나, CVD로 증착되므로 생산성이 떨어지고 있다. 매출 역시 2013년에 53억 2014년 42억 2015(F) 40억으로 꾸준할 것으로 예상된다.

- SOC (Spin on Carbon) 재료 : 아직 납품이 발생한 부분은 아니다.

ACL을 대체하여 Hardmask 재료로 사용되며, STP공정에 추가적으로 사용된다. 탄소함유량이 ACL 재료보다는 낮지만 높은 생산성을 지니고 있어 ACL의 대부분을 대체할 수 있다. 회사에서 이를 개발했고 현재 고객사에 납품을 하기 위해 노력 중이다. 만약 납품이 이루어진다면 많은 추가적인 매출 발생 가능성이 크다.

(출처 : 디엔에프)

- 확산방지막 재료 (TDMATi, 4MS) : 1분기에 10억도 되지 않는 만큼 매출

 Cu, AI와 같은 배선재료와 기타 고유전체 물질들을 증착시키는 과정에서 산소가 확산되어 절연층과 산화반응을 일으키는 것을 막기 위한 확산 방지막이다. Cu의 안정적인 Gap-fill을 위한 Seed Layer 재료이다.

- SOD (Spin on Dielectric) 재료

 미세화에 따라 좁아진 STI의 Gap-fill을 위해 적용되기 시작하였다. 그리고 IMD, PMD와 같은 일부 층간의 절연을 위해 확대 적용중에 있다. 원래 일본회사가 독점적으로 납품했으나 현재에는 국내, 일본, 대만의 회사가 경쟁하고 있다.

3. 기업 분석

 디엔에프의 IR을 가서 가장 인상 깊었던 것이 바로 R&D를 잘하는 회사로 불리기를 원하며 실제 그렇다는 이야기를 들었을 때이다. 회사가 규모가 작았을 때나 커졌을 때 상관없이 매년 30억원을 R&D 비용으로 투자하고 있으며 전체 인력의 20%가 R&D 인력일 만큼 연구 개발에 많은 열정을 쏟고 있다. 이러한 결과물로 매년 1~2개 이상의 소재가 개발되고 이러한 신제품 개발 노력이 매출 신장으로 이어지는 것이다. 이러한 경험을 바탕으로 고객사의 수요에 맞는 다양한 소재를 개발하여 고객군도 점차적으로 다양화 되고 있으며, 신규 고객사도 확보되고 있다.

 이러한 노력에 힘입어 2014년 초 200%에 달하던 부채비율이 2015년 1분기 기준으로 50% 미만으로 급격하게 줄어들었다. 뿐만 아니라 영업이익률 역시 20% 이상에 달할만큼 경제적 해자가 있는 기업으로 볼 수 있다.

 반도체가 존재하는 한, 반도체 기초 소재를 공급하는 회사는 망할 수가 없다고 판단될 뿐만 아니라 기초 소재의 경우 단기간에 진입할 수 있는 분야가 아니므로 높은 진입장벽이 존재하고, 생산 인력 배치에 있어서도 여타 제조업과는 달리 5~6개월의 TRAINNING을 거쳐야 현장에 투입될 수 있을 수준이 갖추어 질정도로 노동력의 질 역시 중요한 분야이다.

즉 R&D를 기반으로 한 기술력 + 화학과 출신의 인력풀 + 반도체 기초 소재라는 3박자가 어우러져 높은 경제적 해자를 지닌 기업으로 판단된다.

4. 결론

 작년에 회사에 화재가 발생하는 불미스러운 일이 발생하기는 했으나, 그러한 시련을 딛고 추가적인 공장 증설을 하고 있으며 이로 인해 기존 CAPA보다 25% 정도의 추가적인 생산이 가능해진다. 뿐만 아니라 기술 개발 노력으로 인한 다양한 신제품이 쏟아져 나오고 있으며 관련 분야의 전문가들로 이루어져 있어 반도체 업체(고객사)에 대한 기술적인 feed back이 빠르다는 점 등을 이유로 매출, 영업이익, 당기순이익이 급격하게 성장하고 있다.

 사물인터넷(IoT)가 본격화 됨에 따라 더 많은 기기에 반도체가 장착될 것이고 이에 따라 반도체 기초 소재 분야 전문업체인 디엔에프도 같이 성장해 갈 것으로 생각이 된다. 여성분이신 IR 담당자분께서 굉장히 상세히 이야기를 해주시고 기업의 성장에 대한 강한 자신감과 회사에 대한 애사심을 보여주신 점을 디엔에프의 보이지는 않지만 강력한 장점이 될 수 있으리라고 본다.

(단, 이는 필자의 주관적인 견해이므로 반드시 옳다고는 볼 수 없음을 명심해 주시기 바랍니다.)

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뚜뚜

2015/08/03 01:51 PM

디엔에프 갖고있는 주주로서 요즘 주가가 현저히 떨어지고 있지만 다시 오를거라고 생각합니다 분석글 감사합니다^^

우주정복

2015/08/03 04:30 PM

저는 주주는 아니지만 반도체 공정 복잡화로 큰 수혜를 입는 기업 중 하나로 보고 계속 관심에 두고있습니다!!^^ 성투하시기바랍니다